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AP40H03DF2	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET	APM 永源微	APM
AP4306AKTR-AG1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	DIODES美台上传：深圳市中赛美电子科技有限公司	DIODES美台
AP4306CKTR-G1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	DIODES美台上传：深圳市乐创天科技有限公司	DIODES美台
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AP4310AMTR-E1AZ1117	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8	BCD 上传：深圳市科瑞芯电子有限公司	BCD

技术参数

Configuration：
Dual
Technology：
Trench
MPQ(Pcs)：
5000
Package：
PDFN3*3-8L
ProductStatus：
Not yet in Production
VDS_Min(V)：
30
VGS(±V)：
20
ESD_HBM(KV)：
/
Vgs(th)Min(V)：
1
Vgs(th)Typ(V)：
1.6
Vgs(th)Max(V)：
2.5
Rdson@10V_Typ(mΩ)：
7.8
Rdson@10V_Max(mΩ)：
10
Rdson@4.5V_Typ(mΩ)：
11
Rdson@4.5V_Max(mΩ)：
18
ID(A)：
40

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更多AP40H03DF供应商更新时间2025-12-26 10:07:00

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