30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP3401BI采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。一般特性高功率，和电流处理能力，无铅产品SOT23小体积封装 VDS = 30V，ID = 5.8A \nRDS（ON）<48m\nΩ@ V GS = -2.5V RDS（ON）<65m\nΩ@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nSOT23小体积封装;

APM

永源微

Low Capacitance ESD Protection

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Littelfuse

力特

Intel짰 Celeron짰 M Solution with 2 PCI Expansion Slots and Multiple I/O

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ADVANTECH

研华科技

Low Power Ambient Noise-Cancelling Speaker Driver

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AMSCO

艾迈斯欧司朗