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AP30H150K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Mosfets	Allpower 铨力微	Allpower
B30H150G	文件：385.31 Kbytes Page：2 Pages	30 Ampere Insulated Dual Common Cathode Schottky Barrier Rectifier Diode 文件：385.31 Kbytes 页数：2 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
GMR30H150C	文件：164.02 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIE 文件：164.02 Kbytes 页数：7 Pages	GAMMA	GAMMA
IMBR30H150C	文件：300.19 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：300.19 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON

技术参数

Configuration：
Single
ESD：
N
VDS(min)：
30
Id at 25℃(max)：
120
Vgs(th) typ(V)：
±20
Rds(on) (typ)(@10V)：
3.1/3.5
Rds(on) (typ)(@4.5V)：
4.3/5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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