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BB302M	文件：61.89 Kbytes Page：11 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB302M	文件：295.09 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB302MBW-TL-E	文件：295.09 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BC302	文件：122.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES NPNSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC302	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC302	文件：15.36 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BC302	文件：133.43 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTORS NPNEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTORS NPNSILICONLOW-AND-MEDIUMPOWERTRANSISTORS.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC302	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD302	文件：246.23 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=30(Min.)@IC=-3A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-45V(Min.) •ComplementtoTypeBD301 APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesupto25W,verticaldeflectioncircuitsincolorTVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD302N	文件：205.05 Kbytes Page：2 Pages	30AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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