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AP28G40GEJ

High Peak Current Capability

文件:140.91 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP28G40GEJ

IGBT

APEC

富鼎先进

AP28G40GEM-HF

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ▼ High Input Impedance ▼ High Peak Current Capability ▼ Low Gate Drive ▼ Strobe Flash Applications ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

文件:52.05 Kbytes 页数:3 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP28G40GEO

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ▼ High Input Impedance ▼ High Peak Current Capability ▼ Low Gate Drive ▼ Strobe Flash Applications

文件:101.76 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    With ESD Diode

  • Vces (V):

    400

  • Vge (±V):

    6

  • Ic (A) 25°C:

    150

  • Vce(sat) (Typ V):

    3.5

  • Qg (nC):

    76/130

  • PD (W) 25°C:

    1.1

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APEC
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更多AP28G40GEJ供应商 更新时间2025-12-7 16:00:00