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FDB2552	文件：332.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=39A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=36mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP2552	文件：256.69 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,37A,36m? Features •rDS(ON)=32mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=16A •Qg(tot)=39nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •Distributed	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP2552	文件：305.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDZ2552P	文件：52.12 Kbytes Page：4 Pages	DualP-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchTMBGAMOSFET GeneralDescription CombiningFairchild’sadvanced2.5VspecifiedPowerTrenchprocesswithstateoftheartBGApackaging,theFDZ2552PminimizesbothPCBspaceandRDS(ON).ThisdualBGAMOSFETembodiesabreakthroughinpackagingtechnologywhichenablesthedevicetocombineexcellentthermal	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H2552	文件：6.41626 Mbytes Page：980 Pages	Renesas16-BitSingle-ChipMicrocomputerH8SFamily/H8S/2500Series	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IRS2552D	文件：795.21 Kbytes Page：32 Pages	CCFL/EEFLBALLASTCONTROLLERIC	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
AP2552FDC
功能描述：
电源开关 IC - USB 2.1A Precision ADJ 5.5V 2.1A 210kOhm
RoHS：
否
制造商：
Micrel
电源电压-最小：
2.7 V
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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