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AP2311GK	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs;	APECapec 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	APEC
AP2311GK-HF	文件：55.9 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge, Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP2311GK-HF_14	文件：55.9 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP2311GK-HF_16	文件：65.66 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP2311GN	文件：74.39 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP2311GN	文件：2.24343 Mbytes Page：5 Pages	60VP-ChannelPowerMOSFET Application Load/PowerSwitching InterfacingSwitching LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AP2311GN-HF	文件：2.62188 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP2311GN-HF	文件：131.71 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP2311SN	文件：441.26 Kbytes Page：18 Pages	2.0ASINGLECHANNELCURRENT-LIMITEDPOWERSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AP2311SN	文件：374.52 Kbytes Page：18 Pages	2.0ASINGLECHANNELCURRENT-LIMITEDPOWERSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Configuration：
Single
Type：
P
VDS (V)：
-60
VGS (±V)：
20
IDS (A) Ta=25°C：
-2.4
RDS(ON) (mΩ max)/10V：
250
RDS(ON) (mΩ max)/4.5V：
300
Ciss (pF)：
510/816
Qg (nC)：
6/9.6

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更多AP2311GK供应商更新时间2025-7-28 16:00:00

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