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AP2309AGN

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.04724 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AP2309AGN-HF

Simple Drive Requirement, Small Package Outline

文件:99.74 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2309AGN-HF_14

Simple Drive Requirement

文件:55.1 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2309AGN-HF_16

Simple Drive Requirement

文件:64.629 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2309AGN

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    P

  • VDS (V):

    -30

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    -3.3

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    75

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    120

  • Ciss (pF):

    485/780

  • Qg (nC):

    7/11.2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AP2309AGN供应商 更新时间2025-11-24 18:56:00