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AP2302AI

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP2302BI采用先进的沟道技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。一般特性高功率,和电流处理能力,无铅产品SOT23小体积封装 VDS = 20V,ID = 3A \nRDS(ON)<48m\nΩ@ V GS = -2.5V RDS(ON)<65m\nΩ@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nSOT23小体积封装;

APM

永源微

AP2302AGN

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • ESD:

    N

  • VDS(min):

    20

  • Id at 25℃(max):

    4

  • Vgs(th) typ(V):

    ±10

  • Rds(on) (typ)(@4.5V):

    30/40

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AP2302供应商 更新时间2025-10-8 14:14:00