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AP20GT60W

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ▼ High Speed Switching ▼ Low Saturation Voltage VCE(sat), typ.=1.8V@IC=20A ▼ RoHS Compliant Product

文件:103.88 Kbytes 页数:3 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP20GT60W_14

High Speed Switching

文件:98.4 Kbytes 页数:3 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP20GT60W_16

High Speed Switching

文件:137.86 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP20GT60W

IGBT

APEC

富鼎先进

技术参数

  • Vces (V):

    600

  • Vge (±V):

    20

  • Ic (A) 25°C:

    40

  • Vce(sat) (Typ V):

    1.8

  • Qg (nC):

    100/160

  • PD (W) 25°C:

    125

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AP20GT60W供应商 更新时间2025-12-15 16:00:00