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AP20GT60SW

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ▼ High Speed Switching ▼ Low Saturation Voltage VCE(sat), Typ.=1.8V@IC=20A ▼ Built-in Fast Recovery Diode

文件:65.75 Kbytes 页数:3 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP20GT60SW_14

High Speed Switching

文件:65.75 Kbytes 页数:3 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP20GT60SW_16

High Speed Switching

文件:67.25 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP20GT60SW

IGBT

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    With FRD

  • Vces (V):

    600

  • Vge (±V):

    20

  • Ic (A) 25°C:

    40

  • Vce(sat) (Typ V):

    1.8

  • Qg (nC):

    100/160

  • PD (W) 25°C:

    125

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AP20GT60SW供应商 更新时间2025-12-1 19:22:00