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AP190P03P	文件：1.54201 Mbytes Page：8 Pages	-30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -30V ID =-190A - RDS(ON) 文件：1.54201 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME
AP190P03PT	文件：1.54201 Mbytes Page：8 Pages	-30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -30V ID =-190A - RDS(ON) 文件：1.54201 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME
AP190P03T	文件：1.54201 Mbytes Page：8 Pages	-30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -30V ID =-190A - RDS(ON) 文件：1.54201 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME
TFD190P03M	文件：1.96378 Mbytes Page：5 Pages	P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TFD190P03M combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provideextremely low RDS(ON). Two P Channel MOSFET inside for dual DIE implication. ● Features Advance high cell densityTrench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss 文件：1.96378 Mbytes 页数：5 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG

更多AP190P03P供应商更新时间2026-9-27 13:30:00