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AP13N50F

500V N-Channel MOSFET

AP13N50F采用先进的沟道技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极电压低至3.5V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 500V,ID = 12A \nRDS(ON)<0.45mΩ\n@ V GS =10V RDS(ON)<0.55mΩ\n@ V GS = 4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-220F插件封装;

APM

永源微

AP13N50I

Low On-resistance

文件:77.37 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP13N50I-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:102.21 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP13N50R-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:63.56 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
APM
2023+
TO-220TO-220F
50000
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TO-220
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更多AP13N50F供应商 更新时间2024-4-11 18:15:00