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AP12N90T

丝印:AP12N90T;Package:TO-263-3L;900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 900V ID =12A - RDS(ON)

文件:1.8161 Mbytes 页数:7 Pages

APME

永源微电子

AP12N90T

丝印:AP12N90T;Package:TO-263-3L;900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 900V ID =12A - RDS(ON)

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APME

永源微电子

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更多AP12N90T供应商 更新时间2026-10-15 16:47:00