30V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP10H03S采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.85V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 V DS = 30V，ID = 10A \nRDS（ON）<12mΩ\n@ V GS = -2.5V RDS（ON）<18mΩ\n@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nSOP-8表贴封装;

APM

永源微

N-Channel Power MOSFET

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JIANGSU

长电科技

N-Channel Power MOSFET

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MCC

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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PJSEMI

平晶半导体