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AP100P08P	文件：1.36428 Mbytes Page：8 Pages	丝印：AP100P08P；Package：TO-220-3L；-80V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -80V ID =-100A - RDS(ON) 文件：1.36428 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME
AP100P08PT	文件：1.36428 Mbytes Page：8 Pages	-80V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -80V ID =-100A - RDS(ON) 文件：1.36428 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME
AP100P08T	文件：1.36428 Mbytes Page：8 Pages	丝印：AP100P08T；Package：TO-263-3L；-80V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -80V ID =-100A - RDS(ON) 文件：1.36428 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME
AP100P10D	文件：1.31684 Mbytes Page：7 Pages	-95V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -95V ID =-100A - RDS(ON) 文件：1.31684 Mbytes 页数：7 Pages	APME 永源微电子	APME
AP100P10NF	文件：1.23141 Mbytes Page：7 Pages	-95V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -95V ID =-100A - RDS(ON) 文件：1.23141 Mbytes 页数：7 Pages	APME 永源微电子	APME
AP100P10P	文件：1.40925 Mbytes Page：8 Pages	-95V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -95V ID =-100A - RDS(ON) 文件：1.40925 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME
AP100P10PT	文件：1.40925 Mbytes Page：8 Pages	-95V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -95V ID =-100A - RDS(ON) 文件：1.40925 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME
AP100P10T	文件：1.40925 Mbytes Page：8 Pages	-95V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = -95V ID =-100A - RDS(ON) 文件：1.40925 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME

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晶体管资料

型号：
AP1000
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
25MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
450
htest：
25000000
atest：
15
wtest：
0

产品属性

产品编号：
AP1
制造商：
Altech Corporation
类别：
开关 > 可配置开关元件 - 主体
包装：
散装
要求：
触点块
类型：
瞬时
照明：
不发光
致动器类型：
按钮，圆形
（先选择，然后应用筛选条件）兼容系列：
Altech，30mm
面板开口尺寸：
30.5mm（圆形）
描述：
CONFIG SW BODY NON-ILLUM

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