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AP08N60I-HF	文件：65.28 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP08N60I-HF_14	文件：65.28 Kbytes Page：4 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
CJP08N60	文件：1.74607 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJP08N60	文件：560.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJPF08N60	文件：701.22 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJPF08N60	文件：1.61225 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
FTA08N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
M08N60P	文件：1.10748 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MCPF08N60	文件：737.82 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
NDF08N60Z	文件：320.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
AP08N60I-HF
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	AP08N60I-HF	A-POWER	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	AP08N60I-HF	APEC/富鼎	2022+	TO-220F	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
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更多AP08N60I-HF供应商更新时间2025-7-25 17:05:00

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