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AP07N10K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Mosfets	Allpower 铨力微	Allpower
CJQ07N10	文件：1.32747 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.32747 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CJQ07N10	文件：1.41973 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：1.41973 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
FQ07N10Q	文件：430.32 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS DESCRIPTION The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . 100 EAS guaranteed with full function reliability approved. FEATURES  Advanced hig 文件：430.32 Kbytes 页数：4 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI

技术参数

Configuration：
Single
ESD：
N
VDS(min)：
100
Id at 25℃(max)：
7
Vgs(th) typ(V)：
±20
Rds(on) (typ)(@10V)：
100/115
Rds(on) (typ)(@4.5V)：
110/130

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AP07N10K供应商更新时间2025-12-25 16:50:00

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