AP0201AT2L00XEGA0-DR技术资料参数批发采购第8页-114ic电子网

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AP02N90J	文件：42.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：42.25 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP02N90JB	文件：66.17 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：66.17 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP02N90J-HF	文件：68.18 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：68.18 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP02N90J-HF	文件：1.54188 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.54188 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AP02N90J-HF_14	文件：68.17 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：68.17 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP02N90P	文件：39.7 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：39.7 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP02N90P-HF	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：58.16 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP02N90P-HF_14	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：58.16 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP02N90P-HF_16	文件：64.75 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：64.75 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
NCEAP020N10LL	文件：752.98 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AP020N10LL；Package：TOLL-8L；NCE Automotive N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal 文件：752.98 Kbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

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产品属性

产品编号：
AP0201AT2L00XEGA0-DR
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 视频处理
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
功能：
处理器
应用：
专业视频
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-VFBGA
供应商器件封装：
100-VFBGA（7x7）
描述：
IC VID IMAGE SGNL PROC 100VFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯峰微电子科技有限公司	AP0201AT2L00XEGA0-DR	ON	20+	N/A	4312	原装现货、工厂库存	询价
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更多AP02供应商更新时间2026-1-19 14:02:00

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