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CDBP0130L	文件：107.75 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBP0130L-G	文件：51.88 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode ReverseVoltage:30Volts ForwardCurrent:100mA Features: •SmallSurfaceMountingType •HighReliability MechanicalData: •Case:MoldedplasticSOD-723 •Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026.1. •Polarity:Indicatedbycathodeband. •Mountingposition:Any. •Marking:	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBP0130R	文件：68.76 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrlierDiode IO=100mA VR=30V RoHSDevice Features -Smallsurfacemountingtype. -Lowreversecurrentandlowforwardvoltage. -Highreliability. MechanicalData -Case:MoldedplasticSOD-723 -Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026.1. -Polarity:Indicatedbycathodeband. -Mountin	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBP0130R-G	文件：52 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode ReverseVoltage:30Volts ForwardCurrent:100mA Features: •SmallSurfaceMountingType •LowReverseCurrentandLowForwardVoltage. •HighReliability MechanicalData: •Case:MoldedplasticSOD-723 •Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026.1. •Polarity:Indicatedbycath	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBQC0130L-HF	文件：106.64 Kbytes Page：4 Pages	LowVFSMDSchottkyBarrierDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBQC0130R-HF	文件：469.34 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Features -Lowreversecurrent. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Majoritycarrierconduction.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBQR0130L	文件：200.44 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=30Volts Features Lowforwardvoltage. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:0402(1005)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-S	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBQR0130L-HF	文件：201.65 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=30Volts RoHSDevice HalogenFree Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata -Case:0402/SOD-923Fstandardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplat	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBQR0130R	文件：200.98 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=30Volts Features Lowreversecurrent Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:0402(1005)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-ST	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBQR0130R-HF	文件：199.99 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=30Volts RoHSDevice HalogenFree Features -Lowreversecurrent. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata -Case:0402/SOD-923Fstandardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplat	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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详细参数

型号：
AP0130
制造商：
SUPERTEX
制造商全称：
SUPERTEX
功能描述：
8 Channel Power MOSFET Array Monolithic N-channel Enchancement Mode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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