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AOZ8312	文件：434.38 Kbytes Page：7 Pages	Low Capacitance 2.5 V TVS Diode	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOZ8312DI	文件：300 bytes Page：1 Pages	高速接口ESD保护; Obsolete\n	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AOZ8312DI	文件：434.38 Kbytes Page：7 Pages	Low Capacitance 2.5 V TVS Diode	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOZ8312DI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：12-UFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 2.5VWM 9VC 12DFN	ETC	ETC
AOZ8312DI_2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：12-UFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 2.5VWM 9VC 12DFN	ETC	ETC
BD8312HFN	文件：487.78 Kbytes Page：15 Pages	Output1.5AorLessHigh-efficiencyStep-downSwitchingRegulatorwithBuilt-inPowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD8312HFN	文件：436.33 Kbytes Page：15 Pages	Output1.5AorLessHigh-efficiencyStep-downSwitchingRegulatorwithBuilt-inPowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD8312HFN	文件：444.32 Kbytes Page：15 Pages	Output1.5AorLessHigh-efficiencyStep-downSwitchingRegulatorwithBuilt-inPowerMOSFET GeneralDescription BD8312HFNcanproduce1.2V,1.8V,3.3V,or5Vstepped-downoutputvoltagesfromapowersupplycomposedof4batteries,whichcanbeLi2cell,Li3cell,orfroma5V/12Vfixedpowersupplyline.Thebuilt-insynchronousrectificationswitchesarecapableofwithstandingupto15V	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD8312HFN	文件：1.19078 Mbytes Page：25 Pages	1chSynchronousBuckConverterIntegratedMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD8312HFN-TR	文件：1.19078 Mbytes Page：25 Pages	1chSynchronousBuckConverterIntegratedMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

Package：
DFN3.5x2.5-12L
Protected Lines：
12
Directional：
Uni
VRWM max (V)：
2.50
Vbr min (V)：
2.80
IEC61000-4-2 (ESD) Contact：
±30KV
IEC61000-4-5 (Lightning)：
18
Cj typ (I/O-GND) (pF)：
2.300

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市拓亿芯电子有限公司	AOZ8312DI	AOS/万代	23+	DFN3.5	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	AOZ8312DI	AOS/万代	23+	DFN3.52.5	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
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更多AOZ8312供应商更新时间2025-7-29 13:42:00

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