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AOZ5506QI	文件：940.35 Kbytes Page：15 Pages	High-Current, High-Performance DrMOS Power Module GeneralDescription AOZ5506QIisahighefficiencysynchronousbuckpower stagemoduleconsistingoftwoasymmetricalMOSFETs andanintegrateddriver.TheMOSFETsareindividually optimizedforoperationinthesynchronousbuck configuration.TheHigh-SideMOSFETisoptimizedto achievelow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AWS5506	文件：67.92 Kbytes Page：8 Pages	GaAsICSPDTReflectiveSwitchPositiveControlDC-2.5GHz Features LowInsertionLoss(0.4dB@0.9GHz) ComplementaryPositiveControlVoltages(0/+3Vto0/+5V) PositiveVoltageSuppy(+3to+5V) LowDCPowerConsumption *UltraMiniature6LeadSOT-6Package DESCRIPTION TheAWS5506isaSinglePoleDoubleThrowGaAsMMICswitchassemb	ANADIGICS ANADIGICS, Inc	ANADIGICS
AZ5506	文件：119 Kbytes Page：4 Pages	HIGHLYRELIABLEDINSIZELIMITSWITCHES	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
C5506	文件：141.89 Kbytes Page：2 Pages	Teck90600V,8GC#1414StrBC,XLPEInsM4,PVCJkt,AIAArmor,BlkPVCJkt,CSAHLSUNRES-40C ProductDescription Teck90600V,8+GConductor14+14AWG(7x22H)BareCopper,XLPEInsulationM4ColorCode,PVCInnerJacket,AluminumInterlockArmor,BlackPVC OuterJacket,CSAHLSUNRES-40C	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
CLC5506	文件：250.51 Kbytes Page：12 Pages	GainTrimAmplifier(GTA)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC5506IM	文件：250.51 Kbytes Page：12 Pages	GainTrimAmplifier(GTA)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC5506IMX	文件：250.51 Kbytes Page：12 Pages	GainTrimAmplifier(GTA)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC5506PCASM	文件：250.51 Kbytes Page：12 Pages	GainTrimAmplifier(GTA)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CPH5506	文件：39.13 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications DC/DCConverterApplications Features •CompositetypewithaPNPtransistorandanNPNtransistorcontainedinonepackage,facilitatinghigh-densitymounting. •TheCPH5506consistsoftwochipsencapsulatedinapackagewhichareequivalenttotheCPH3115andtheCPH3215,respectively. •	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH5506	文件：766.02 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor(-)30V,(-)5A,LowVCE(sat)ComplementaryDualCPH5 Features •CompositetypewithaPNPtransistorandanNPNtransistorcontainedinonepackage,facilitatinghigh-densitymounting •TheCPH5506consistsoftwochipsencapsulatedinapackagewhichareequivalenttotheCPH3115andtheCPH3215,respectively •Ultrasmallpackagefacilitatemini	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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