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E2N60

2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

E2N60

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

E2N60

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

技术参数

  • Package:

    TO251B

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    600

  • VGS (±V):

    30

  • ID @ 25°C (A):

    2

  • PD @ 25°C (W):

    57

  • 10V:

    4700

  • Qg (10V)(nC):

    6.50

  • VGS(th) max (V):

    4.50

  • Ciss (pF):

    295

  • Coss (pF):

    30

  • Crss (pF):

    2.30

  • Qgd (nC):

    1.80

  • tD(on) (ns):

    19

  • tD(off) (ns):

    21.80

  • Trr (ns):

    268

  • Qrr (nC):

    1600

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

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更多AOY2N60供应商 更新时间2025-7-29 10:03:00