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AOW29S50	文件：256.579 Kbytes Page：6 Pages	500V 29A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW29S50 has been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability this part can be a 文件：256.579 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW29S50	文件：344.49 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 29A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to- 文件：344.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOW29S50	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 500V 29A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOB29S50	文件：299.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 29A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to- 文件：299.52 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB29S50	文件：330.16 Kbytes Page：7 Pages	500V 29A a MOS Power Transistor General Description The AOT29S50 & AOB29S50 & AOTF29S50 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanch 文件：330.16 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK29S50	文件：422.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 29A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to- 文件：422.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Package：
TO262
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
500
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
29
PD @ 25°C (W)：
357
10V：
150
Qg (10V)(nC)：
26.60
VGS(th) max (V)：
3.90
Ciss (pF)：
1312
Coss (pF)：
88
Crss (pF)：
2.50
Qgd (nC)：
9.20
tD(on) (ns)：
28
tD(off) (ns)：
103
Trr (ns)：
387
Qrr (nC)：
7300
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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