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AOW11S65	文件：265.54 Kbytes Page：6 Pages	650V 11A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW11S65 & AOWF11S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：265.54 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW11S65	文件：342.57 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID=11A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=650V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.399Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-L 文件：342.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOW11S65	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 650V 11A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOWF11S65	文件：265.54 Kbytes Page：6 Pages	650V 11A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW11S65 & AOWF11S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：265.54 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
T11S65	文件：1.0349 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.0349 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package：
TO262
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
650
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
198
10V：
399
Qg (10V)(nC)：
13.20
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
646
Coss (pF)：
42
Crss (pF)：
1.10
Qgd (nC)：
4.30
tD(on) (ns)：
25
tD(off) (ns)：
77
Trr (ns)：
278
Qrr (nC)：
4200
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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