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AOTS21311C	文件：343.33 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Trench Power MOSFET technology • Low RDS(ON) • Low Gate Charge • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • This device is ideal for Load Switch 文件：343.33 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTS21311C	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
PT21311	文件：58.83 Kbytes Page：1 Pages	10BASE-T Isolation Modules in PCMCIA package 文件：58.83 Kbytes 页数：1 Pages	DATATRONICS	DATATRONICS
AONR21311C	文件：637.09 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Latest advanced trench technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in load switch • Battery protection charge/discharge 文件：637.09 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOSD21311C	文件：350.72 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：350.72 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOSP21311C	文件：559.08 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：559.08 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
45
4.5V：
65
ID @ 25°C (A)：
-5.90
PD @ 25°C (W)：
2.50
Qg (4.5V)(nC)：
6.50
Qg (10V)(nC)：
13.50
VGS(th) max (V)：
-2.20
Ciss (pF)：
720
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
70
Qgd (nC)：
3
tD(on) (ns)：
8.50
tD(off) (ns)：
39
Trr (ns)：
10
Qrr (nC)：
13
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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