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AOTL42A60E	文件：473.54 Kbytes Page：6 Pages	600V, aMOSTM N-Channel Power Transistor GeneralDescription •ProprietaryaMOS5TMtechnology•LowRDS(ON)•OptimizedswitchingparametersforbetterEMIperformance•Enhancedbodydiodeforrobustnessandfastreverserecovery Applications •PFCandPWMstages(LLC,FSFB,TTF)ofServer,Telecom,Industrial,UPS,andSolarInverters	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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AOTL42A60E

文件：473.54 Kbytes

Page：6 Pages

600V, aMOSTM N-Channel Power Transistor

GeneralDescription •ProprietaryaMOS5TMtechnology•LowRDS(ON)•OptimizedswitchingparametersforbetterEMIperformance•Enhancedbodydiodeforrobustnessandfastreverserecovery Applications •PFCandPWMstages(LLC,FSFB,TTF)ofServer,Telecom,Industrial,UPS,andSolarInverters

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

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更多AOTL42A60E供应商更新时间2025-5-28 15:10:00

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