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AOTF7S60	文件：293.19 Kbytes Page：6 Pages	600V 7A a MOS Power Transistor General Description The AOT7S60 & AOB7S60 & AOTF7S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche c 文件：293.19 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF7S65	文件：308.21 Kbytes Page：7 Pages	650V 7A a MOS Power Transistor General Description The AOT7S65L & AOB7S65L & AOTF7S65L & AOTF7S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guar 文件：308.21 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF7S65	文件：557.01 Kbytes Page：7 Pages	650V 7A a MOS General Description The AOT7S65L & AOB7S65L & AOTF7S65L & AOTF7S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guar 文件：557.01 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF7S65L	文件：557.01 Kbytes Page：7 Pages	650V 7A a MOS General Description The AOT7S65L & AOB7S65L & AOTF7S65L & AOTF7S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guar 文件：557.01 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF7S60	文件：296.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF7S65	文件：296.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF7S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 7A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOTF7S65	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 650V 7A aMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
650
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
7
PD @ 25°C (W)：
25
10V：
650
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
434
Coss (pF)：
30
Crss (pF)：
1
Qgd (nC)：
2.70
tD(on) (ns)：
21
tD(off) (ns)：
55
Trr (ns)：
224
Qrr (nC)：
2800
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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