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AOTF600A60L

600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor

General Description • Proprietary aMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC, Flyback and LLC topologies• Silver ATX,adapter,TV,lighting,Server power

文件:535.02 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOTF600A60L

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor

AOS

美国万代

APTGT600A60

Phase leg Trench Field Stop IGBT Power Module

文件:270.48 Kbytes 页数:5 Pages

ADPOW

APTGT600A60G

Phase leg Trench Field Stop IGBT Power Module

文件:152.98 Kbytes 页数:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

APTGT600A60G

Phase leg Trench Field Stop IGBT Power Module

文件:246.37 Kbytes 页数:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

技术参数

  • Package:

    TO220F

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    600

  • VGS (±V):

    20

  • ID @ 25°C (A):

    8

  • PD @ 25°C (W):

    27.50

  • 10V:

    600

  • Qg (10V)(nC):

    11.50

  • VGS(th) max (V):

    3.50

  • Ciss (pF):

    608

  • Coss (pF):

    19

  • Crss (pF):

    1.30

  • Qgd (nC):

    2.80

  • tD(on) (ns):

    18

  • tD(off) (ns):

    36

  • Trr (ns):

    159

  • Qrr (nC):

    1200

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
AOS/万代
2019+
TO220
3333
原厂渠道 可含税出货
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TO-220F
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TO-220F
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更多AOTF600A60L供应商 更新时间2026-1-25 16:04:00