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AOTF5B65M1

AlphaIGBT™

AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计,适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。\n\n• 更低的导通损耗\n• 更低的开关损耗\n• 更低的EMI性能\n• 更高的坚固性

AOS

美国万代

AOTF5B65M2

AlphaIGBT™

AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计,适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。\n\n• 更低的导通损耗\n• 更低的开关损耗\n• 更低的EMI性能\n• 更高的坚固性

AOS

美国万代

AOTF5B65M1

High short-circuit ruggedness

文件:542.36 Kbytes 页数:9 Pages

AOSMD

万国半导体

AOTF5B65M1

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V 5A TO220

Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

技术参数

  • Package:

    TO220F

  • Configuration:

    IGBT with Anti-Parallel Diode

  • Qg (nC):

    14

  • Qrr (nC):

    270

  • VF (V):

    1.48

  • VCE max (V):

    650

  • VCE(SAT) typ (V):

    1.57

  • Ic max @ 25C (A):

    10

  • Ic max @ 100C (A):

    5

  • EON (mJ):

    0.08

  • EOFF (mJ):

    0.07

  • IRM (A):

    3.50

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更多AOTF5B65供应商 更新时间2025-12-26 14:02:00