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AOTF454L	文件：39.59 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Encapsulated Devicenull 文件：39.59 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF454L	文件：296.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF454L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 150V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOU454	文件：72.45 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOU454 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard Product AOU454 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOU4 文件：72.45 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOU454	文件：1.68229 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Power Supply - Secondary Synchronous Rectification • DC/DC Converter 文件：1.68229 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOU454	文件：352.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 33mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：352.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
150
VGS (±V)：
20
10V：
94
7V：
110
ID @ 25°C (A)：
13
PD @ 25°C (W)：
41
Qg (10V)(nC)：
15
VGS(th) max (V)：
4.60
Ciss (pF)：
820
Coss (pF)：
70
Crss (pF)：
22
Qgd (nC)：
4.40
tD(on) (ns)：
10.50
tD(off) (ns)：
14.50
Trr (ns)：
32.50
Qrr (nC)：
230
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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