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AOTF266L	文件：347.54 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOT266L & AOB266L & AOTF266L uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON), Ciss a 文件：347.54 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF266L	文件：279.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：279.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF266L	文件：1.31534 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.31534 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOTF266L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 60V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
60
VGS (±V)：
20
10V：
3.50
6V：
4
ID @ 25°C (A)：
78
PD @ 25°C (W)：
45.50
Qg (10V)(nC)：
65
VGS(th) max (V)：
3.20
Ciss (pF)：
5650
Coss (pF)：
720
Crss (pF)：
20
Qgd (nC)：
7
tD(on) (ns)：
21
tD(off) (ns)：
36
Trr (ns)：
27
Qrr (nC)：
145
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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更多AOTF266供应商更新时间2026-4-18 10:02:00

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