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AOTF2606L	文件：354.61 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOT2606L & AOB2606L & AOTF2606L uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON), C 文件：354.61 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF2606L	文件：306.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：306.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF2606L	文件：986.76 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：986.76 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOTF2606L	文件：1.31548 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.31548 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOTF260L	文件：280.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF260L	文件：39.73 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：39.73 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF2606L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 60V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOTF260L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 60V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOTF260供应商更新时间2025-12-26 9:42:00