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AOTF256L	文件：288.27 Kbytes Page：6 Pages	150V N-Channel MOSFET 文件：288.27 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF256L	文件：294.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF256L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 150V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
BFQ256	文件：56.02 Kbytes Page：8 Pages	PNP video transistors DESCRIPTION PNP video transistor in a SOT223 plastic package. NPN complements: BFQ236 and BFQ236A. FEATURES • High breakdown voltages • Low output capacitance • High gain bandwidth • Good thermal stability • Gold metallization ensures excellent reliability • Surface mounting. APPLICATION 文件：56.02 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
MOC256	文件：123.16 Kbytes Page：4 Pages	SMALL OUTLINE OPTOISOLATORS AC INPUT TRANSISTOR OUTPUT The MOC256 is an AC input phototransistor optocoupler. The device consists of two infrared emitters connected in anti–parallel and coupled to a silicon NPN phototransistor detector. They are designed for applications requiring the detection or monitoring of AC signals. These devices are constructe 文件：123.16 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
NTE256	文件：24.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor Darlington w/Damper Diode Description: The NTE256 is a silicon epitaxial planer NPN Darlington transistor in a TO218 type package with an integrated Base–Emitter speed–up diode. This device is particularly suitable for use as an output stage in high power, fast switching applications. 文件：24.48 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
150
VGS (±V)：
20
10V：
85
4.5V：
100
ID @ 25°C (A)：
12
PD @ 25°C (W)：
33
Qg (10V)(nC)：
15.50
Qg (4.5V)(nC)：
7
VGS(th) max (V)：
2.80
Ciss (pF)：
1165
Coss (pF)：
61.50
Crss (pF)：
2.50
Qgd (nC)：
1.20
tD(on) (ns)：
6.50
tD(off) (ns)：
23
Trr (ns)：
37
Qrr (nC)：
265
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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