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AOTF10B60D	文件：300 bytes Page：1 Pages	AlphaIGBT™; AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能，从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计，适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。\n\n• 更低的导通损耗\n• 更低的开关损耗\n• 更低的EMI性能\n• 更高的坚固性\n\n	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AOTF10B60D	文件：659.19 Kbytes Page：9 Pages	AOTF10B60D	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF10B60D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 42W TO220F	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc. Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
AOTF10B60D2	文件：300 bytes Page：1 Pages	AlphaIGBT™; AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能，从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计，适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。\n\n• 更低的导通损耗\n• 更低的开关损耗\n• 更低的EMI性能\n• 更高的坚固性\n\n	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AOTF10B60D2	文件：727.03 Kbytes Page：9 Pages	600V, 10A Alpha IGBT TM with Diode	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF10B60D2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 10A TO-220F	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc. Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

产品属性

产品编号：
AOTF10B60D
制造商：
Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Alpha IGBT™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，10A
开关能量：
260µJ（开），70µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/72ns
测试条件：
400V，10A，30 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F
描述：
IGBT 600V 20A 42W TO220F

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