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AOT4S60	文件：306.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT4S60	文件：40.22 Kbytes Page：5 Pages	600V 4A aMOSTM Power Transistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT4S60	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V 4A a MOS TM Power Transistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT4S60	文件：1.10659 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOTF4S60	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF4S60	文件：296.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF4S60	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU4S60	文件：318.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU4S60	文件：457.25 Kbytes Page：7 Pages	600V4AaMOSPowerTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW4S60	文件：344.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
AOT4S60
制造商：
SHENZHENFREESCALE
制造商全称：
ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd
功能描述：
600V 4A a MOS TM Power Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOT4S60供应商更新时间2025-6-7 16:03:00

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