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AOT282L

80V N-Channel MOSFET

General Description The AOT282L & AOB282L uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON), Ciss and Coss. This d

文件:281.9 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOT282L

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:246.42 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

AOT282L

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.08864 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

AOT282L

中压MOSFET (40V - 400V)

80V N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

技术参数

  • Package:

    TO220

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    80

  • VGS (±V):

    20

  • 10V:

    3.50

  • 6V:

    5.20

  • ID @ 25°C (A):

    105

  • PD @ 25°C (W):

    272.50

  • Qg (10V)(nC):

    127

  • Qg (4.5V)(nC):

    58

  • VGS(th) max (V):

    3.50

  • Ciss (pF):

    7765

  • Coss (pF):

    960

  • Crss (pF):

    66

  • Qgd (nC):

    21

  • tD(on) (ns):

    24

  • tD(off) (ns):

    55

  • Trr (ns):

    40

  • Qrr (nC):

    320

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    175

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更多AOT282L供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00