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AOT280A60L	文件：438.58 Kbytes Page：6 Pages	600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary αMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology 文件：438.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT280A60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOTF280A60L	文件：438.58 Kbytes Page：6 Pages	600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary αMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology 文件：438.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB280A60L	文件：438.58 Kbytes Page：6 Pages	600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary αMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology 文件：438.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD280A60	文件：477.56 Kbytes Page：6 Pages	600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC, Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology 文件：477.56 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOI280A60	文件：477.56 Kbytes Page：6 Pages	600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC, Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology 文件：477.56 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
14
PD @ 25°C (W)：
156
10V：
280
Qg (10V)(nC)：
23.50
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
1350
Coss (pF)：
38
Crss (pF)：
1
Qgd (nC)：
5.50
tD(on) (ns)：
25
tD(off) (ns)：
44
Trr (ns)：
280
Qrr (nC)：
3800
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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