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AOT20S60L	文件：519.87 Kbytes Page：7 Pages	600V 20A a MOS General Description The AOT20S60 & AOB20S60 & AOTF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanch 文件：519.87 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT20S60L	文件：298.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.199Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：298.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT20S60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 20A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOTF20S60	文件：519.87 Kbytes Page：7 Pages	600V 20A a MOS General Description The AOT20S60 & AOB20S60 & AOTF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanch 文件：519.87 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF20S60	文件：330.4 Kbytes Page：7 Pages	600V 20A a MOS Power Transistor General Description The AOT20S60 & AOB20S60 & AOTF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanch 文件：330.4 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF20S60	文件：1.15441 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET 文件：1.15441 Mbytes 页数：11 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
20
PD @ 25°C (W)：
266
10V：
199
Qg (10V)(nC)：
19.80
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
1038
Coss (pF)：
68
Crss (pF)：
2.10
Qgd (nC)：
7.60
Trr (ns)：
350
Qrr (nC)：
5.70
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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