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AOT20C60P	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT20C60P	文件：452.75 Kbytes Page：6 Pages	600V,20A N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AOT20C60PL	文件：452.74 Kbytes Page：6 Pages	High Current Capability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF20C60	文件：79.64 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF20C60P	文件：296.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF20C60P	文件：462.05 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF20C60PL	文件：462.05 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW20C60	文件：314.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOW20C60	文件：83.33 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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更多AOT20C60P供应商更新时间2025-5-28 14:02:00

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