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AOT160A60L	文件：440.45 Kbytes Page：6 Pages	600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary αMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology 文件：440.45 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT160A60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOTF160A60L	文件：345.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current ID= 24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 160mΩ(Max) ·100 Avalanche Tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed s 文件：345.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF160A60L	文件：440.45 Kbytes Page：6 Pages	600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary αMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology 文件：440.45 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
RB160A60	文件：120.48 Kbytes Page：4 Pages	Schottky barrier diode 文件：120.48 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
24
PD @ 25°C (W)：
250
10V：
160
Qg (10V)(nC)：
46
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
2340
Coss (pF)：
62
Crss (pF)：
1.30
Qgd (nC)：
14
tD(on) (ns)：
34
tD(off) (ns)：
63
Trr (ns)：
387
Qrr (nC)：
7300
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	AOT160A60L	AOS/万代	2019+	TO220	18000	原厂渠道可含税出货	询价
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更多AOT160A60L供应商更新时间2025-12-13 16:03:00

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