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AOT160A60L	文件：440.45 Kbytes Page：6 Pages	600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor GeneralDescription •ProprietaryαMOS5TMtechnology•LowRDS(ON)•OptimizedswitchingparametersforbetterEMIperformance•Enhancedbodydiodeforrobustnessandfastreverserecovery Applications •SMPSwithPFC,FlybackandLLCtopologies•MicroinverterwithDC/ACinvertertopology	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT160A60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V); 600V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor\n	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AOTF160A60L	文件：440.45 Kbytes Page：6 Pages	600V,aMOS5TMN-ChannelPowerTransistor GeneralDescription •ProprietaryαMOS5TMtechnology•LowRDS(ON)•OptimizedswitchingparametersforbetterEMIperformance•Enhancedbodydiodeforrobustnessandfastreverserecovery Applications •SMPSwithPFC,FlybackandLLCtopologies•MicroinverterwithDC/ACinvertertopology	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF160A60L	文件：345.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrentID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=160mΩ(Max) ·100AvalancheTested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Highcurrent,highspeeds	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RB160A60	文件：120.48 Kbytes Page：4 Pages	Schottkybarrierdiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB160A60	文件：116.13 Kbytes Page：4 Pages	Schottkybarrierdiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB160A60	文件：139.08 Kbytes Page：4 Pages	Schottkybarrierdiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
24
PD @ 25°C (W)：
250
10V：
160
Qg (10V)(nC)：
46
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
2340
Coss (pF)：
62
Crss (pF)：
1.30
Qgd (nC)：
14
tD(on) (ns)：
34
tD(off) (ns)：
63
Trr (ns)：
387
Qrr (nC)：
7300
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOT160A60L供应商更新时间2025-7-29 16:04:00

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