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AOT15B65MQ1	文件：589.96 Kbytes Page：8 Pages	650V, 15A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description • Latest AlphaIGBT (αIGBT) technology• 650V breakdown voltage• Very fast and soft recovery freewheeling diode• High efficient turn-on di/dt controllability• Low VCE(sat) enables high efficiencies• Low turn-off switching loss and softness• Very good EMI behavior• High short-cir 文件：589.96 Kbytes 页数：8 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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AOTF15B65MQ1	文件：553.31 Kbytes Page：9 Pages	650V, 15A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description • Latest AlphaIGBT (αIGBT) technology• 650V breakdown voltage• Very fast and soft recovery freewheeling diode• High efficient turn-on di/dt controllability• Low VCE(sat) enables high efficiencies• Low turn-off switching loss and softness• Very good EMI behavior• High short-cir 文件：553.31 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB15B65MQ1	文件：589.96 Kbytes Page：8 Pages	650V, 15A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description • Latest AlphaIGBT (αIGBT) technology• 650V breakdown voltage• Very fast and soft recovery freewheeling diode• High efficient turn-on di/dt controllability• Low VCE(sat) enables high efficiencies• Low turn-off switching loss and softness• Very good EMI behavior• High short-cir 文件：589.96 Kbytes 页数：8 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
IGBT with Anti-Parallel Diode
Qg (nC)：
32
Qrr (nC)：
240
VF (V)：
1.65
VCE max (V)：
650
VCE(SAT) typ (V)：
1.70
Ic max @ 25C (A)：
30
Ic max @ 100C (A)：
15
EON (mJ)：
0.29
EOFF (mJ)：
0.20
IRM (A)：
3.70

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