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AOT095A60

高压MOSFET (500V - 1000V)

Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm(12英寸)和200mm(8英寸)工艺技术研发了600V和700V超结MOSFET。独有的硅晶圆和封装技术确保我们为各种应用案例定制差异化和合适的产品,包括服务器、笔记本电脑,电信、通用充电、工业、太阳能逆变器等。各种RDS(ON)的产品和丰富的产品封装类型(从通孔到SMT),使电源设计者在满足成本预算的同时实现效率和功率密度目标。

AOS

美国万代

AOT095A60L

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor

AOS

美国万代

AOT095A60L

600V,aMOS5TM N-Channel Power Transistor

General Description • Proprietary αMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC, Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology

文件:463.58 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOT095A60FDL

600V aMOS5™ N-Channel Power Transistor

AOS

美国万代

技术参数

  • Package:

    TO220

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    600

  • VGS (±V):

    20

  • ID @ 25°C (A):

    30

  • PD @ 25°C (W):

    245

  • 10V:

    95

  • Qg (4.5V)(nC):

    83

  • VGS(th) max (V):

    4.10

  • Ciss (pF):

    4050

  • Coss (pF):

    105

  • Crss (pF):

    1.50

  • Qgd (nC):

    26

  • tD(on) (ns):

    46

  • tD(off) (ns):

    110

  • Trr (ns):

    218

  • Qrr (nC):

    3900

  • Qualification:

    Industrial

  • Tj max (°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AOT095A60供应商 更新时间2025-12-13 17:30:00