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AONT21313C	文件：320.88 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：320.88 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AONT21313C	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOSD21313C	文件：334.91 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：334.91 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOSP21313C	文件：326.89 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：326.89 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTS21313C	文件：331.02 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Trench Power MOSFET technology • Low RDS(ON) • Low Gate Charge • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • This device is ideal for Load Switch 文件：331.02 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
DFN2x2-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
32
4.5V：
55
ID @ 25°C (A)：
-7.40
PD @ 25°C (W)：
2.70
Qg (4.5V)(nC)：
11
Qg (10V)(nC)：
22
VGS(th) max (V)：
-2.20
Ciss (pF)：
1100
Coss (pF)：
120
Crss (pF)：
105
Qgd (nC)：
6.50
tD(on) (ns)：
12
tD(off) (ns)：
55
Trr (ns)：
12
Qrr (nC)：
17
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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