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AONS66966

N-Channel Enhancement MOSFET

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文件:1.9286 Mbytes 页数:4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

AONS66966

场效应管(MOSFET)

AOS

美国万代

AONV070V65G1

DFN8x8

AOS/万代

AOT-0603P-W03

SMDLEO

AOT

AOT-1615-3D-RGB01-Z-H

SMDLEO

AOT

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    100V

  • 连续漏极电流(Id):

    31.3A;100A

  • 功率(Pd):

    6.2W;215W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):

    3.6V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs):

    95nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds):

    5.325nF@50V

  • 工作温度:

    -55℃~+150℃@(Tj)

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更多AONS66966供应商 更新时间2026-1-19 11:06:00