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AON6554	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AON6554	文件：93.33 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：93.33 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
BU6554GVW	文件：402.78 Kbytes Page：6 Pages	Home Electronics and Security Devices IC 文件：402.78 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BX6554	文件：65.88 Kbytes Page：1 Pages	RF AMPLIFIER MODEL 文件：65.88 Kbytes 页数：1 Pages	APITECH	APITECH
ENN6554	文件：44.32 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications 文件：44.32 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Status：
Last Time Buy
Package：
DFN5x6_8L EP1
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
12
Id(A)(25℃)：
85
Id(A)(75℃)：
66
Pd(W)(25℃)：
70
Pd(W)(75℃)：
28
Rds (on) mΩ max(10V)：
2.9
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
3.7
Qg (nC)：
21.3

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