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FP6514	文件：69.47 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
HM-6514	文件：41.05 Kbytes Page：7 Pages	1024x4CMOSRAM Description TheHM-6514isa1024x4staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Thedeviceutilizessynchronouscircuitrytoachievehighperformanceandlowpoweroperation. On-chiplatchesareprovidedforaddressesallowingefficientinterfacingwithmicroproc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IT6514C	文件：2.85637 Mbytes Page：10 Pages	DCPowerSupplies APPLICATIONS -AutomotiveElectronics -Civilavionics -ElectricVehicleBatteryTest -SolarPanelI-VCurveSimulation -BatterySimulation -LED	ITECHITECH ELECTRONIC CO.,LTD. 艾德克斯艾德克斯电子（南京）有限公司	ITECH
IT6514D	文件：2.85637 Mbytes Page：10 Pages	DCPowerSupplies APPLICATIONS -AutomotiveElectronics -Civilavionics -ElectricVehicleBatteryTest -SolarPanelI-VCurveSimulation -BatterySimulation -LED	ITECHITECH ELECTRONIC CO.,LTD. 艾德克斯艾德克斯电子（南京）有限公司	ITECH
KFF6514A	文件：68.49 Kbytes Page：2 Pages	Surfacemount,silver(Ag)coatedceramicfilter.	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
KFF6514A	文件：118 Kbytes Page：2 Pages	1542MHZINMARSAT/GPSBPF	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
L6514SQ	文件：525.64 Kbytes Page：20 Pages	600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LC6514B	文件：461.65 Kbytes Page：16 Pages	SINGLE-CHIP4-BITMICROCOMPUTER(LOW-THRESHOLDINPUT,ON-CHIPFLTDRIVER) Overview TheLC6514BisamicrocontrollerwithFLTdrivers.ItisidenticalwiththeLC6510Cintheinternalarchitectureandinstructionset.Sincethenormal/low-thresholdlevelofinputportAcanbeselectedbyoptionandtheon-chippulldownresistorcanbebitwiseconnectedtotheFLTdrive	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LMH6514	文件：1.08311 Mbytes Page：29 Pages	LMH6514600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LMH6514	文件：1.29279 Mbytes Page：31 Pages	LMH6514600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1

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详细参数

型号：
AON6514
功能描述：
MOSFET N CH 30V 30A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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