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LMH6502MASLASHNOPB	文件：1.54497 Mbytes Page：29 Pages	LMH6502Wideband,LowPower,Linear-in-dBVariableGainAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMH6502MAX	文件：941.39 Kbytes Page：19 Pages	Wideband,LowPower,Linear-in-dBVariableGainAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMH6502MAXSLASHNOPB	文件：1.54497 Mbytes Page：29 Pages	LMH6502Wideband,LowPower,Linear-in-dBVariableGainAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMH6502MT	文件：941.39 Kbytes Page：19 Pages	Wideband,LowPower,Linear-in-dBVariableGainAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6502MT/NOPB	文件：1.54497 Mbytes Page：29 Pages	LMH6502Wideband,LowPower,Linear-in-dBVariableGainAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMH6502MTSLASHNOPB	文件：1.54497 Mbytes Page：29 Pages	LMH6502Wideband,LowPower,Linear-in-dBVariableGainAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMH6502MTX	文件：941.39 Kbytes Page：19 Pages	Wideband,LowPower,Linear-in-dBVariableGainAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
M6502	文件：122.96 Kbytes Page：2 Pages	HIGHRELIABILITYFORLOWCOST	PETERMANN PETERMANN-TECHNIK	PETERMANN

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详细参数

型号：
AON6502
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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