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AON6403	文件：237.24 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：237.24 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON6403	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AON6403L	文件：240.23 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Power Transistor General Description The AON6403L combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. - RoHS Compliant - Halogen Free Product Summary VDS -30V ID (at VGS= -10 文件：240.23 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
BOXER-6403	文件：214.82 Kbytes Page：2 Pages	low power consumption cpu 文件：214.82 Kbytes 页数：2 Pages	AAEON 研扬科技	AAEON

技术参数

Package：
DFN5x6-8L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
3.10
4.5V：
4.30
ID @ 25°C (A)：
-85
PD @ 25°C (W)：
83
Qg (4.5V)(nC)：
79
Qg (10V)(nC)：
163
VGS(th) max (V)：
-2.20
Ciss (pF)：
7600
Coss (pF)：
1320
Crss (pF)：
1050
Qgd (nC)：
33
tD(on) (ns)：
13
tD(off) (ns)：
135
Trr (ns)：
26
Qrr (nC)：
78
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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更多AON6403供应商更新时间2025-12-11 14:01:00

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