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AON6280	文件：300.97 Kbytes Page：6 Pages	80V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AWT6280	文件：585.2 Kbytes Page：16 Pages	Quad-bandGSM/GPRS/PolarEDGEPowerAmplifierModulewithIntegratedPowerControl	ANADIGICS ANADIGICS, Inc	ANADIGICS
BA6280AF	文件：121.4 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicIGs MonolithicIGs ICsforAudioApplications •CDAmplifiers •Low-Frequency,Small-SignalAmplifiers	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CD6280	文件：134.82 Kbytes Page：2 Pages	CELLULARDIEPACKAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CD6280	文件：123.25 Kbytes Page：2 Pages	TransientsuppressorCELLULARDIEPACKAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CD6280A	文件：123.25 Kbytes Page：2 Pages	TransientsuppressorCELLULARDIEPACKAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CD6280A	文件：134.82 Kbytes Page：2 Pages	CELLULARDIEPACKAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CD6280C	文件：134.82 Kbytes Page：2 Pages	CELLULARDIEPACKAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CD6280CA	文件：134.82 Kbytes Page：2 Pages	CELLULARDIEPACKAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
DAML6280	文件：183.71 Kbytes Page：1 Pages	VariableGainLowNoiseAmplifier FEATURES •80-700MHz •Gain29dB •NoiseFigure2dB •AttenuationRange31dB •LSB1dB	DAICO DAICO Industries, Inc.	DAICO

详细参数

型号：
AON6280
功能描述：
MOSFET N CH 80V 85A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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